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80
70
20 V
50
Vge=10V
15 V
60
50
10 V
40
Tc = 25 ℃
Tc = 100 ℃
30
40
30
20
20
10
10
0
Vge=5 V
0
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
20
Vce [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Vce [V]
Fig 2. Typical Output Characteristics
12
Vge = 10V
8.0
Vge=10V
7.5
10
7.0
8
6.5
Ic =10A
6
6.0
5.5
4
5.0
2
0
4.5
4.0
Ic = 5A
25
50
75
100
125
150
20
40
60
80
100
120
140
Tc [ ℃ ]
Fig 3. Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Tc [ ℃ ]
Fig 4. Saturation Voltage vs.
Case Temperature
10
Vcc = 600V
10
Load Current : peak of square wave
8
0 .5
1
6
4
0 .1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
Pdm
2
Duty cycle : 50%
0 .0 1
t1
t2
Tc = 100 C
0
0.1
o
Power Dissipation = 12W
1
10
100
1000
s in g le p u ls e
0 .0 1
1 E -5 1 E -4
1 E -3
0 .0 1
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm × Zthjc + T C
0 .1 1
10
Frequency [kHz]
Fig 5. Load Current vs. Frequency
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
R e c ta n g u la r P u ls e D u ra tio n [s e c]
Fig 6. Transient Thermal Impedance
of IGBT Junction to Case
SGF5N150UF Rev. B
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